onsemi MMBT2222ALT3G
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6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
300 mV
300 mV
hFE Min
75
75
75
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiSMMBT2222ALT1G
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Descrições
Descrições de onsemi MMBT2222ALT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
MMBT Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
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onsemi NPN Transistor, SOT-23 Package, SMD, Max DC Collector Current 600mA, Max Collector-Emitter Voltage 40V
Trans Bjt Single, Npn, 40V, 600Ma; |Onsemi MMBT2222ALT3G.
40V 225mW 600mA 35@10mA10V 300MHz 1V@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.225W, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Tr
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min75
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade