onsemi MMBFJ177

Name: onsemi MMBFJ177
Brand: onsemi
SKU: MMBFJ177

MMBFJ177 Series 30 V 20 mA Surface Mount P-Channel Switch - SOT-23

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	3	MMBFJ177	0	5	Cut Tape		0,386*	0,186*	0,119*	0,112*	1d
element14 APAC	2	MMBFJ177	0	5	Cut Tape		0,208*	0,187*	0,154*	0,142*	21h
Win Source		WS-MMBFJ177	114.700	635					0,079	0,061	5h
Worldway Electronics		MMBFJ177	9.476	7	Tape & Reel		0,022	0,021	0,020	0,020	5h
Chipsmall Limited		MMBFJ177	80.000	1		1,080	0,720	0,432	0,360	0,360	8h

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JRH Electronics

Datasheet9 páginas4 anos atrás

Upverter

IHS

Future Electronics

onsemi

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onsemiMMBFJ177

onsemiMMBFJ177LT1G

Price @ 1000

$ 0.154

Stock

417,673

8,307,488

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

25 V

Continuous Drain Current (ID)

-20 mA

20 mA

Drain to Source Resistance

300 Ω

Power Dissipation

225 mW

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

25 V

Input Capacitance

11 pF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1994-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

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Descrições

Descrições de onsemi MMBFJ177 fornecidas pelos seus distribuidores.

MMBFJ177 Series 30 V 20 mA Surface Mount P-Channel Switch - SOT-23

Future Electronics

P-JFET -30V -1,5- -20mA 0,225W SOT23

Schukat

P-Channel Switch This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 88.

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR, JFET, P, SMD, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:-1.5mA to -20mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:2.5V; Power Dissipation Pd:225mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Idss Max:20mA; Current Idss Min:1.5mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:225mW; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:P Channel

element14 APAC

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

MMBFJ177.

Modelos CAD

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Peças alternativas

1 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Breakdown Voltage30 V

Continuous Drain Current (ID)-20 mA

Current Rating20 mA

Drain to Source Resistance300 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation225 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height930 µm

Length2.92 mm

Width1.3 mm

Fichas técnicas e documentos

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JRH Electronics

Datasheet9 páginas4 anos atrás

Upverter

IHS

Future Electronics

onsemi

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A