onsemi MMBFJ175
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5
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
33.5 mA
60 mA
60 mA
Drain to Source Resistance
125 Ω
125 Ω
125 Ω
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
25 V
25 V
Input Capacitance
-
11 pF
11 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBFJ175 fornecidas pelos seus distribuidores.
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 / Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
MMBFJ175 Series 30 V 60 mA Surface Mount P-Channel Switch - SOT-23
225W 225mW 30V 3V@ 10 nA 1P 125¦¸ 7mA 30V SOT-23-3 2.9mm*130cm*1mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
003, PLASTIC MOLDED, SOT-23 STD-PRO PKG1, SMD (49)<AZ
Sot-23 J175 Marked 6W Rohs Compliant: Yes
P-Channel Switch This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 88.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage30 V
Continuous Drain Current (ID)33.5 mA
Current Rating-50 mA
Drain to Source Resistance125 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-30 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade