onsemi MMBF4416
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Tendência de 3 meses: -96.31%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi MMBF4416.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de onsemi MMBF4416 fornecidas pelos seus distribuidores.
225mW 30V 1individualNChannel 15mA 4pF(Max) @ 15V SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1mm
MMBF4416 Series 30 V 10 mA Surface Mount N-Channel RF Amplifier - SOT-23
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr: -30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6V; Transistor Case Style
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -96.31%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-30 V
Continuous Drain Current (ID)15 mA
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Frequency100 MHz
Gain18 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure2 dB
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Test Current5 mA
Test Voltage15 V
Voltage Rating30 V
Voltage Rating (DC)-35 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade