onsemi MJE171
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Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-225
TO-225
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
-
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7 V
1.7 V
hFE Min
12
12
Power Dissipation
1.5 W
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 465V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Descrições
Descrições de onsemi MJE171 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 50 @ 100mA 1V 3A 12.5W 50MHz
Transistor; PNP; 60 VDC; 80 VDC; 7 VDC; 3 Adc; 1 Adc; 105 W @ degC; 10 degC/W
3.0 A PNP Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-225
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min12
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade