onsemi MJD45H11TF
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Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MJD45H11TF | 964 | 735 | |||||||||
| Rochester Electronics | MJD45H11TF | 964 | 5h | |||||||||
| Farnell | MJD45H11TF... | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-MJD45H11TF | 25.000 | 200 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | MJD45H11TF | 9.587 | 7 | Tape & Reel | 4h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Price @ 1000
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Stock
819,236
271,226
Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1 V
-1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi MJD45H11TF fornecidas pelos seus distribuidores.
8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
MJD Series PNP 1.75 W 80 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-252-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 40MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: -8A; DC Current Gain hFE: 60hFE; Tran
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height2.527 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade