onsemi MJD45H11T4G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | MJD45H11T4GOSCT-ND | 31.315 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | MJD45H11T4G | 540.000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MJD45H11T4G | 182.500 | 2500 | 8h | ||||||||
| Newark | MJD45H11T4G | 1.629 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | MJD45H11T4G | 11.500 | 100 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
-
-
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
90 MHz
90 MHz
90 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descrições
Descrições de onsemi MJD45H11T4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11T4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 80 V; 8 A
MJD45H11 Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - DPAK-3
80V 1.75W 40@4A,1V 8A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:90Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:40Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD45H11T4G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency90 MHz
Gain Bandwidth Product90 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency90 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency90 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade