onsemi MJD45H11-1G
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393,592
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-251
TO-251
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
-1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 20 @ 4A 4V 50muA 1.75W 2MHz
Descrições
Descrições de onsemi MJD45H11-1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Through Hole
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11-1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 4; 80 V; 8 A
Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
80V 1.75W 40@4A,1V 8A PNP TO-251(IPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 80 V 8 A Through Hole PNP Complementary Power Transistor
Trans GP BJT PNP 80V 8A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
...for general purpose power and switching such as output or driver stag applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Dc Collector Current:8A; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:90Mhz; Dc Current Gain Hfe:60Hfe Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency90 MHz
Gain Bandwidth Product90 MHz
hFE Min40
Max Collector Current8 A
Max Frequency20 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade