onsemi MJD3055T4G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MJD3055T4G | 10.000 | 2500 | 17h | ||||||||
| Newark | MJD3055T4G | 10 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MJD3055T4G | 2.498 | 25 | |||||||||
| DigiKey | MJD3055T4GOSCT-ND | 634 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | MJD3055T4G | 0 | 100 | Bulk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
8 V
8 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
1.75 W
20 W
20 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MJD3055T4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD3055 Series 60 V 10 A SMT NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:10A; Power Dissipation:1.75W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:4Pins; Transition Frequency:2MHz; DC Current Gain hFE Min:10hFE RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current10 A
Max Frequency500 kHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade