onsemi MJD200RLG
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6
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-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
65 MHz
65 MHz
65 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
1.8 V
1.8 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
1.4 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD2118TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1758TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MJD200RLG fornecidas pelos seus distribuidores.
5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD200 Series 25 V 5 A 1.4 W NPN Complementary Plastic Power Transistor-TO-252-3
NPN Transistor 1.8V@1A 5A 1.4W 8V 100nA 40V 25V 5A TO-252 SMD 6.73mm × 6.22mm × 2.38mm
25V 12.5W 5A 45@2A1V 65MHz NPN 1.8V@5A1A -65¡Í~+150¡Í@(Tj) DPAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, D-PAK; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:65MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:70
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency65 MHz
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.4 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade