onsemi MJD200G
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
65 MHz
65 MHz
65 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
1.8 V
1.8 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
1.4 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi MJD200G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 25VDC, IC 5A, PD 12.5W, DPAK, VCBO 40VDC
5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
25V 1.4W 5A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 25 V 5 A Tab Mount NPN Complementary Plastic Power TransistorTO-252-3
Trans GP BJT NPN 25V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:25V; Continuous Collector Current:5A; Power Dissipation:1.4W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:65Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:65Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD200G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency65 MHz
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min10
Max Collector Current5 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.4 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade