onsemi MBT3906DW1T1G
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6
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363
SOT-363
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MBT3906DW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); MBT3906DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 6; 40 V; 200 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
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TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, SOT-363-6; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:-40V; Continuous Collector Current NPN:200mA; Continuous Collector Current PNP:200mA RoHS Compliant: Yes
The MBT3906DW1T1 device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package this device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade