onsemi KST42MTF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBTA42-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.DN350T05-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi KST42MTF fornecidas pelos seus distribuidores.
KST42 Series 300 V 500 mA SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, SOT-23
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
500mV@ 2mA,20mA NPN 350mW 6V 100nA 300V 300V 500mA SOT-23-3 2.92mm*1.3mm*1.2mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade