Diodes Inc. FMMTA42TA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBTA42-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.DNBT8105-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. FMMTA42TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, NPN, 300 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
FMMTA42 Series NPN 0.2 A 300 V SMT Silicon High Voltage Transistor - SOT-23
Transistor: NPN; bipolar; 300V; 200mA; 330mW; SOT23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DiodesZetex NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current200 mA, maximum collector-emission voltage300 V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -80.48%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Continuous Collector Current200 mA
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation330 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade