onsemi KSD526YTU
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Stock
644,489
235,025
Authorized Distributors
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
8 MHz
8 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
450 mV
450 mV
hFE Min
120
120
Power Dissipation
30 W
30 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi KSD526YTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor,bjt,npn,80V V(Br)Ceo,4A I(C),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD526YTU
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1.5V@ 300mA,3A NPN 30W 5V 30¦ÌA 80V 80V 4A TO-220-3 9.4mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.09%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage450 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency8 MHz
Gain Bandwidth Product8 MHz
hFE Min120
Max Collector Current4 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Transition Frequency8 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade