onsemi KSC3503DSTU
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi KSC3503DSTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
KSC Series NPN 7 W 300 V 100 mA Through Hole Epitaxial Transistor - TO-126
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-225AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd; Available until stocks are exhausted Alternative available
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation7 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade