onsemi BD13716S
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
50 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi BD13716S fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1.25 W, 1.5 A, 40
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
1.5 A, 45 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
500mV@ 50mA,500mA NPN 1.25W 5V 100nA 60V 60V 1.5A TO-126-3 8mm*3.25mm*1.5mm
TRANSISTOR, NPN; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.25W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style: TO-126;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
TerminationThrough Hole
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade