onsemi KSC2669OBU
$ 0.044
Obsolete
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Tendência de 3 meses: Restocked
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-04-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Peças relacionadas
onsemiKSC2669YTA
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 2mA 12V 30mA 200mW 250MHz
onsemiFJNS3206RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSC2001YBU
Bulk Through Hole NPN KSC2001 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 1V 700mA 600mW 170MHz
Descrições
Descrições de onsemi KSC2669OBU fornecidas pelos seus distribuidores.
Bulk Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 2mA 12V 30mA 200mW 250MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)35 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current30 mA
Current Rating30 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min70
Max Collector Current30 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas e documentos
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