onsemi FJNS3206RTA
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FJNS3206RTA.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Peças relacionadas
onsemiFJNS4206RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJNS3215RBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJNS3201RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
onsemiFJNS4202RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
Descrições
Descrições de onsemi FJNS3206RTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Transistors NPN Si Transistor Epitaxial
Compliant Through Hole 68 NPN Lead Free TO-226-3 3 300 mW
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min68
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency250 MHz
Fichas técnicas e documentos
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