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Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi IRFU130ATU.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Peças relacionadas
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRFR024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRFU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
Descrições
Descrições de onsemi IRFU130ATU fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
2.5W 20V 27nC@ 10V 1individualNChannel 100V 110mΩ@ 10V 14A 610pF@ 25V TO-251 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:13A; On-Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation41 W
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fichas técnicas e documentos
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