onsemi HUF76407D3ST
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Stock
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230,830
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
1 V
-
Rds On Max
92 mΩ
92 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
38 W
38 W
Input Capacitance
350 pF
350 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi HUF76407D3ST fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ
N-Channel 60 V 0.092 Ohm Logic UltraFET Power Mosfet-TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.077OHM, 12A, T; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.077OHM, 12A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.077ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +7.03%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance117 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation38 W
Rds On Max92 mΩ
Resistance92 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade