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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQU2N80TU.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Peças relacionadas
onsemiFQU2N60CTU
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
STMicroelectronicsSTD2HNK60Z-1
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package
Descrições
Descrições de onsemi FQU2N80TU fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
2.5W(Ta)£¬50W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 15nC@ 10V 1individualNChannel 800V 6.3¦¸@ 900mA,10V 550pF@25V IPAK Through hole mounting
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance6.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max6.3 Ω
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQU2N80TU.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade