onsemi FQU2N60CTU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-07-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
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onsemiFQU2N50BTU
2.5W(Ta),30W(Tc) 3.7V@ 250¦ÌA 8nC@ 10V 1N 500V 5.3¦¸@ 800mA,10V 230pF@25V IPAK
Descrições
Descrições de onsemi FQU2N60CTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, IPAK
N-Channel 600 V 4.7 Ohm Through Hole Power Mosfet - IPAK-3
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Current Rating1.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance4.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance235 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.7 Ω
Resistance4.7 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.85 mm
Length6.6 mm
Width2.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade