onsemi FCPF7N60

Name: onsemi FCPF7N60
Brand: onsemi
SKU: FCPF7N60

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, TO-220F

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Arrow Electronics		FCPF7N60	163	1		0,902	0,902	0,902	0,902	0,902
Master Electronics		FCPF7N60	474	40				1,760	1,620	1,490
Onlinecomponents.com		FCPF7N60	474	40	Bulk			1,760	1,620	1,490
Rochester Electronics	2	FCPF7N60	57.405					1,560	1,290	1,150	3h

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Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-02-04

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2025-10-08

LTD Date2026-04-08

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

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Descrições

Descrições de onsemi FCPF7N60 fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, TO-220F

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):530mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7A; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:31W; Power Dissipation Pd:31W; Pulse Current Idm:30A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Fairchild Semiconductor

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)7 A

Current Rating7 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance600 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time32 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance920 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation31 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation31 W

Rds On Max600 mΩ

Resistance600 MΩ

Rise Time55 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time75 ns

Turn-On Delay Time35 ns

Voltage Rating (DC)600 V

Dimensions

Height9.19 mm

Length10.16 mm

Width4.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas12 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A