Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQPF4N90.
Ficha técnica oficial6 anos atrás
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FQPF4N90 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
47W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10V 1individualNChannel 900V 3.3Ω@ 1.25A,10V 2.5A 1.1nF@25V TO-220F Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance3.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max3.3 Ω
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQPF4N90.
Ficha técnica oficial6 anos atrás
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade