onsemi FQPF32N20C
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFI4227PBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB FullPak package
Descrições
Descrições de onsemi FQPF32N20C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 28 A, 82 mΩ, TO-220F
Transistor, mosfet, n-Channel,200V V(Br)Dss,28A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF32N20C
200 V N-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current Rating28 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max82 mΩ
Rise Time270 ns
Turn-Off Delay Time245 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height19.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade