onsemi FQPF22P10
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
InfineonIRLI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Descrições
Descrições de onsemi FQPF22P10 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -13.2 A, 125 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P-CH, -100V, -13.2A, TO-220F-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -13.2A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 0.096ohm; Rds(on) Tes; Available until stocks are exhausted
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.2 A
Current Rating-13.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time170 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade