Infineon IRLI530NPBF
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Obsolete
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Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRLI530NPBF | 9 | 39m | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLI530NPBF | 0 | 700 | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRLI530NPBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | IRLI530N | 309 | 600 | Tube | 19h | |||||||
| Win Source | WS-IRLI530N | 800 | 5 | 2h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-04-25
LTD Date2011-10-25
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRLI530NPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Single N-Channel 100 V 0.12 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 41 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
N CH MOSFET, 100V, 12A, TO-220FP; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:33W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Isolation Voltage:2kV; Junction to Case Thermal Resistance A:3.7°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:33W; Power Dissipation Pd:33W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance800 pF
Isolation Voltage2000 Vrms
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity2000
PackagingBulk
Power Dissipation33 W
Rds On Max100 mΩ
Recovery Time210 ns
Resistance120 mΩ
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6172 mm
Width4.826 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade