onsemi FQI7N80TU
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQI7N80TU | 2.955 | 6d | |||||||||
| Avnet | FQI7N80TU | 0 | 455 | 14h | ||||||||
| Microchip USA | FQI7N80TU | 243 | 150 | Tube | 5h | |||||||
| Win Source | WS-FQI7N80TU | 11.400 | 100 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQI7N80TU | 29.018 | 7 | Tube | 12h |
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|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTFI7N80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FQI7N80TU fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 6.6 A, 1.5 Ω, I2PAK
Transistor,mosfet,n-Channel,800V V(Br)Dss,6.6A I(D),to-262Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQI7N80TU
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height15.01 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade