onsemi FQI8N60CTU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FQI8N60CTU fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, I2PAK
3.13W(Ta)£¬147W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10V 1individualNChannel 600V 1.2¦¸@ 3.75A,10V 1.255pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, I2Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQI8N60CTU
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.255 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time60.5 ns
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade