onsemi FQD9N25TM-F085
NRND
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR9N20DTRLPBF
Single N-Channel 200 V 0.38 Ohm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
InfineonIRFR9N20DPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FQD9N25TM-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TAPE REEL/250V N-channel MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W(Ta),55W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 250V 420m¦¸@ 3.7A,10V 7.4A 700pF@25V TO-252AA 6.73mm*6.22mm*2.39mm
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supply.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max420 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade