onsemi FQD630TF
$ 0.37
Obsolete
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Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQD630TF.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN6068LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FQD630TF fornecidas pelos seus distribuidores.
2.5W(Ta),46W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 200V 400m¦¸@ 3.5A,10V 550pF@25V DPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 200V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQD630TF.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade