onsemi FQD20N06TM
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQD20N06TM | 2.500 | 6d | |||||||||
| Farnell | FQD20N06TM | 0 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Microchip USA | FQD20N06TM | 104 | 600 | 2h | ||||||||
| Win Source | WS-FQD20N06TM | 2.500 | 18 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQD20N06TM | 28.875 | 7 | Tape & Reel | 4h |
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Tendência de 3 meses: -57.99%
Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Esta peça
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Price @ 1000
$ 0.417
Stock
327,334
72,734
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
16.8 A
16.8 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
63 mΩ
63 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
590 pF
590 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQD20N06TM fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 16.8 A, 63 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 60V, 16.8A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16.8A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.05; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications..
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.8 A
Current18 A
Current Rating16.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance590 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max63 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage55 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade