onsemi RFD12N06RLESM9A
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiHUFA76409D3ST
Transistor,Mosfet,N-Channel,60V V(Br)Dss,18A I(D),To-252Aa Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTD16NF06T4
STD16NF06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 16 A, 60 V, 3-PIN TO-252
Descrições
Descrições de onsemi RFD12N06RLESM9A fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel UltraFET® Power MOSFET 60V, 17A, 71mΩ
N-Channel 60 V 17 A 0.071 Ohm Surface Mount UltraFET Power Mosfet - TO-252AA
60V 18A 63m´Î@10V18A 49W 3V@250Ã×A N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Avnet Japan
onsemi NMOS UltraFET, Vds=60 V, 18 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fet 50V 100.0 Mohm Dpak Rohs Compliant: Yes
PWR MOS TAPE AND REEL RFD12N06RLESM
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -45.41%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance485 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation49 W
Rds On Max63 mΩ
Resistance71 MΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade