onsemi FQD13N06TM
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQD13N06TM | 4.405 | 1924 | 2d | ||||||||
| Flip Electronics | FQD13N06TM | 4.405 | 4d | |||||||||
| Farnell | FQD13N06TM | 0 | 2500 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Microchip USA | FQD13N06TM | 335 | 600 | Tray | 4d | |||||||
| Component Stockers USA | FQD13N06TM | 251 | >1wk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | Baixar | |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 7 hours ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 7 hours ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD12NF06LT4
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Descrições
Descrições de onsemi FQD13N06TM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
TAPE REEL/N-CH/60V/10A/0.14OHM
2.5W(Ta),28W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 7.5nC@ 10 V 1N 60V 140m¦¸@ 5A,10V 10A 310pF@25V TO-252AA 6.73mm*6.22mm*2.39mm
60V 10A 110m´Î@10V5A 28W 4V@250uA 15pF@25V N Channel 240pF@25V 5.8nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) DPAK-3 MOSFETs ROHS
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance310 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max140 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade