STMicroelectronics STD12NF06LT4
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD12NF06LT4 fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 90 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
STD12NF06LT4 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N REEL 2500; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant