onsemi FQD10N20CTM
$ 0.227
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | FQD10N20CTM | 1 | 1 | |||||||||
| Avnet | FQD10N20CTM | 10.493 | 4167 | 10h | ||||||||
| Rochester Electronics | FQD10N20CTM | 48 | 8h | |||||||||
| Flip Electronics | FQD10N20CTM | 10.493 | 6d | |||||||||
| Farnell | FQD10N20CTM | 0 | 5 | Cut Tape | 1d |
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-01-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-21
LTD Date2022-12-21
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQD10N20CTM fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max360 mΩ
Resistance360 mΩ
Rise Time92 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade