onsemi FDD7N20TM
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD5N20LT4
MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
Descrições
Descrições de onsemi FDD7N20TM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200 V, 5 A, 690 mΩ, DPAK
N-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 200V, 5A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.58ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Pow
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +14.58%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation43 W
Rds On Max690 mΩ
Resistance690 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade