onsemi FQB8N90CTM
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Production
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQB8N90CTM | 75.200 | >1wk | |||||||||
| Newark | FQB8N90CTM | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FQB8N90CTM | 0 | 800 | 7h | ||||||||
| Farnell | FQB8N90CTM | 0 | 800 | Tape & Reel | 5h | |||||||
| Mouser | 512-FQB8N90CTM | 456 | 1 | Tape & Reel |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-01-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB10N65K3
N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Descrições
Descrições de onsemi FQB8N90CTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 6.3 A, 1.9 Ω, D2PAK
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max1.9 Ω
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade