Infineon IPB65R660CFDAATMA1
$ 0.853
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB65R660CFDAATMA1 | 940 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB65R660CFDAATMA1 | 930 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND | 3.970 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPB65R660CFDAATMA1 | 0 | 1K | 6h | ||||||||
| Future Electronics | IPB65R660CFDAATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonSPB04N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
VishaySIHB12N65E-GE3
E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Descrições
Descrições de Infineon IPB65R660CFDAATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 650V, 6A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.07%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Resistance660 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance543 pF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance660 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max660 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade