onsemi FQB8N60CTM
$ 1.141
EOL
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQB8N60CTM | 26.400 | 273 | |||||||||
| Arrow Electronics | FQB8N60CTM | 121.900 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQB8N60CTM | 48.800 | 8h | |||||||||
| Flip Electronics | FQB8N60CTM | 130.000 | 1d | |||||||||
| Farnell | FQB8N60CTM | 0 | 800 | Tape & Reel | 8h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
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MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de onsemi FQB8N60CTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, To-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQB8N60CTM
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.255 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time60.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade