onsemi FQB7N60TM
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STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de onsemi FQB7N60TM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, D2PAK
N-Channel 600 V 1 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
3.13W(Ta)£¬142W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 38nC@ 10V 1individualNChannel 600V 1¦¸@ 3.7A,10V 7.4A 1.43nF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:7.4A; Resistance, Rds On:1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; No. of Pins:2; Power Dissipation:142W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.13W; Voltage, Vds Max:600V; Voltage, Vgs th Max:5V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Current Rating7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.13 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade