onsemi FJV992FMTF
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6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-120 V
120 V
Max Collector Current
50 mA
50 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-300 mV
-300 mV
hFE Min
300
200
Power Dissipation
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FJV992FMTF fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23 / Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PNP 120 V 50 mA 300 mW Audio Frequency Low Noise Amplifier - SOT-23
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
120V 300mW 50mA 200@1mA6V 50MHz PNP 300mV@10mA1mA +150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi PNPTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-50 mA, maximum collector-emission voltage-120 V
TRANSISTOR, PNP, -120V, -0.05A, SOT-23-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -120V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: -50mA; DC Current Gain hFE: 300h
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-120 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating-50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-120 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade