onsemi BC858C
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi BC858C.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiFJNS4202RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
onsemiFJNS3201RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Descrições
Descrições de onsemi BC858C fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
PNP Silicon AF Transistor 30V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, PNP SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Continuous Collector Current Ic Max: 100mA; Curr
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade