onsemi FJD5555TM
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-11-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FJD5555TM fornecidas pelos seus distribuidores.
400V 100W 5A 20@800mA3V 170mV@1A200mA NPN +150¡Í@(Tj) D-PAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT NPN 400V 5A 1340mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
The FJD5555 is a 1050 V 5 A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. The FJD5555 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard surface mount TO-252 (DPAK) package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -7.94%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.05 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage170 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)14 V
hFE Min20
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.34 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.34 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade