onsemi FJA4310OTU
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Stock
90,063
82,724
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
SC
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
140 V
140 V
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
70
70
Power Dissipation
100 W
80 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-11-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2023-03-30
LTD Date2023-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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Toshiba2SC5198-O(Q)
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi FJA4310OTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
FJA4310 Series 140 V 10 A Flange Mount NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-3P
In a Pack of 5, ON Semi FJA4310OTU NPN Transistor, 10 A, 140 V, 3-Pin TO-3P
Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
Avnet Japan
Low Voltage, 28-Bit, Flat-Panel Display Link Serializer / Deserializer. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min70
Max Collector Current10 A
Max Frequency30 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Dimensions
Height23.8 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade