onsemi FGP20N6S2
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Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-03-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-01-03
LTD Date2008-07-03
Peças relacionadas
onsemiSGS5N60RUFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGF10NB60SD
STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
onsemiSGS10N60RUFTU
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.8V @ 15V 10A 16A 55W 15ns/36ns
STMicroelectronicsSTGF10NC60KD
STGF10NC60KD Series 600 V 9 A N-Channel Power Mesh IGBT - TO-220FP
STMicroelectronicsSTGF14NC60KD
STGF14NC60KD Series 600 V 11 A Flange Mount Short-Circuit Rugged IGBT - TO-220FP
Descrições
Descrições de onsemi FGP20N6S2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
TO-220, SINGLE, N-CHANNEL, 600V, SMPS II SERIES IGBT
IGBT 600V 28A 125W TO220AB
IGBT 600V 28A TO-220-3
IGBTs Sgl, N-Ch, 600V
N-CHANNEL IGBT
IGBT, N, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:28A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:125W; Case Style:TO-220AB; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:40A; No. of Pins:3; Pin Format:GCE; Power, Pd:125W; Power, Ptot:125W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall:50ns; Time, Rise:4.5ns; Transistors, No. of:1
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current28 A
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Max Collector Current28 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.4 mm
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