STMicroelectronics STGF10NC60KD
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGF10NC60KD fornecidas pelos seus distribuidores.
STGF10NC60KD Series 600 V 9 A N-Channel Power Mesh IGBT - TO-220FP
In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP
Transistor IGBT Chip N-CH 600V 9A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Tube
N-CHANNEL 600V-10A-TO-220FP SHORT CIRCUIT RATED POWERMESH IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STGF10NC60KD, IGBT TRANSISTOR, 9 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-220FP
25W 9A 600V TO-220FP-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Igbt, 600V, 9A, 150Deg C, 25W; Continuous Collector Current:9A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.5V; Power Dissipation:25W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGF10NC60KD
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -22.14%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current9 A
Current Rating9 A
Element ConfigurationSingle
Forward Current10 A
Max Collector Current9 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Reverse Recovery Time22 ns
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant