onsemi FGA20N120FTDTU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRG8P25N120KD-EPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
InfineonIRGP20B120U-EP
IRGP20B120U Series 1200 V 40 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO247AD
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descrições
Descrições de onsemi FGA20N120FTDTU fornecidas pelos seus distribuidores.
FGA20N120FTD Series 1200 V 40 A Field Stop Trench IGBT-TO-3PN
Igbt, 1.2Kv, 40A, 150Deg C, 298W Rohs Compliant: Yes |Onsemi FGA20N120FTDTU
Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances for soft switching applications. The device can operate in parallel configuration with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for induction heating and microwave oven.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time320 ns
Max Breakdown Voltage1.2 kV
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation298 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time447 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time143 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height18.9 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade