onsemi FDZ1323NZ
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NRND
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN2015UFDE-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Diodes Inc.DMN2011UFDE-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 11.7A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2011UFDE-7
InfineonIRLHS6242TRPBF
Single N-Channel 20V 11.7 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Descrições
Descrições de onsemi FDZ1323NZ fornecidas pelos seus distribuidores.
Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 20V, 10A, 13mΩ
2W 12V 1.2V@ 250¦ÌA 24nC@ 10V 2N 20V 13m¦¸@ 1A,4.5V 10A 2.055nF@10V BGA 1.5mm*1mm*600¦Ìm
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 10 A, 13 mohm
TRANS MOSFET N-CH 20V 10A 6-PIN WLCSP
MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
This device is designed specifically as a single package solution for Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable applications. It features two common drain N-channel MOSFETs, which enables bidirectional current flow, on Fairchild’s advanced PowerTrench® process with state of the art“low pitch” WLCSP packaging process, the FDZ1323NZ minimizes both PCB space and rS1S2(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, lowgate charge and low rS1S2(on).
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight50 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.055 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation500 mW
Rds On Max13 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height350 µm
Length2.3 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade